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為客戶提供全面的設(shè)備和工藝解決方案

• 薄膜沉積 • 薄膜刻蝕 • 定制設(shè)備

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"產(chǎn)品中心
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AVP IBE System
- 廣泛適用所有材料刻蝕,包括RIE難以刻蝕的Au、Pt、Mo等難熔金屬、Fe、Co、Ni等磁性材料、陶瓷、氧化物、多層膜、傾斜光柵等。
- 成熟、可靠、低成本、高產(chǎn)能、7/24連續(xù)運(yùn)行的薄膜刻蝕系統(tǒng)
- 歐美工業(yè)生產(chǎn)驗(yàn)證的、多種成熟的薄膜刻蝕工藝
- 杰出的薄膜刻蝕均勻性和重復(fù)性
- 廣泛適用所有材料刻蝕,包括RIE難以刻蝕的Au、Pt、Mo等難熔金屬、Fe、Co、Ni等磁性材料、陶瓷、氧化物、多層膜、傾斜光柵等。
- 成熟、可靠、低成本、高產(chǎn)能、7/24連續(xù)運(yùn)行的薄膜刻蝕系統(tǒng)
- 歐美工業(yè)生產(chǎn)驗(yàn)證的、多種成熟的薄膜刻蝕工藝
- 杰出的薄膜刻蝕均勻性和重復(fù)性
- 純物理刻蝕,采用惰性氣體為工藝氣體,環(huán)保、無污染,應(yīng)用廣泛
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AVP HR PVD System
-高濃度離子輔助的傾角濺射(Directional Sputtering)
-高速率反應(yīng)濺射,如Al2O3的沉積速率 > 1nm/s
-優(yōu)異的薄膜厚度均勻性(1σ<1%),裹覆率(Step Coverage ~50%)
-基片背面氦氣冷卻,基片溫度(<50°C)
-高靶材使用率(>8
-高濃度離子輔助的傾角濺射(Directional Sputtering)
-高速率反應(yīng)濺射,如Al2O3的沉積速率 > 1nm/s
-優(yōu)異的薄膜厚度均勻性(1σ<1%),裹覆率(Step Coverage ~50%)
-基片背面氦氣冷卻,基片溫度(<50°C)
-高靶材使用率(>80%)
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AVP 4T PVD SYSTEM
-各種薄膜、精密光學(xué)薄膜,及高溫(Max. 1000℃) 沉積的解決方案
-各種成熟的、2-8英寸的RF、DC、Pulsed DC、反應(yīng)等薄膜沉積工藝
-成熟、可靠、低成本、高產(chǎn)能、7/24連續(xù)運(yùn)行的薄膜沉積系統(tǒng)
-廣泛應(yīng)用于歐美光學(xué)器件、MEMS、存儲等工業(yè)界的薄膜沉積
-各種薄膜、精密光學(xué)薄膜,及高溫(Max. 1000℃) 沉積的解決方案
-各種成熟的、2-8英寸的RF、DC、Pulsed DC、反應(yīng)等薄膜沉積工藝
-成熟、可靠、低成本、高產(chǎn)能、7/24連續(xù)運(yùn)行的薄膜沉積系統(tǒng)
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"支持與服務(wù)
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專家支持
專家支持服務(wù),提供7/24現(xiàn)場及遠(yuǎn)程設(shè)備及工藝診斷和改進(jìn)。
先進(jìn)的工業(yè)控制系統(tǒng)
提供國際工業(yè)生產(chǎn)驗(yàn)證的,長期穩(wěn)定的全自動(dòng)設(shè)備控制系統(tǒng)。
客戶至上的原則
全心全意為客戶服務(wù),為客戶成功助力。
"關(guān)于艾微普
為客戶提供全面的設(shè)備和工藝解決方案
專注打造世界先進(jìn)水平的高端微納器件、半導(dǎo)體、及新能源加工設(shè)備
艾微普公司是基于美國硅谷科技技術(shù)團(tuán)隊(duì)成立的半導(dǎo)體設(shè)備公司,在浙江海寧創(chuàng)立。公司聚集了多位海內(nèi)外資深微納加工及半導(dǎo)體設(shè)備、工藝、材料專家,專注打造世界先進(jìn)水平的高端微納器件、半導(dǎo)體、及新能源加工設(shè)備。

公司的核心技術(shù)和產(chǎn)品包括物理氣相沉積/磁控濺射(PVD)、離子束刻蝕機(jī)(IBE)、反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(RIE)、電子束蒸鍍機(jī)等系列MEMS、半導(dǎo)體、新能源器件制造專用設(shè)備。公司自創(chuàng)立以來,已經(jīng)獲得幾十項(xiàng)國家專利。
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